RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
3061
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link