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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
14.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
3061
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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