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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
14.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
2925
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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