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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
38
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2908
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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