RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
2925
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link