RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
92
Intorno -207% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
30
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3014
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link