RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
92
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
34
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3097
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link