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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
63
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
46
Velocità di lettura, GB/s
8.1
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2961
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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