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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
63
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
46
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2961
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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