RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
63
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
46
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2961
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link