Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    67 left arrow 92
    Intorno -37% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,273.3 left arrow 1,266.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    92 left arrow 67
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,105.4 left arrow 2,857.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,266.1 left arrow 1,273.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    339 left arrow 344
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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