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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
67
92
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,273.3
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
92
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
2,857.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
1,273.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
344
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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