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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
67
92
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,273.3
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
92
67
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
2,857.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
1,273.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
344
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
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