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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

総合得点
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    67 left arrow 92
    周辺 -37% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,273.3 left arrow 1,266.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 2,857.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 1,273.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 344

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