RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
92
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,273.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
92
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
2,857.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
1,273.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
5300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
344
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link