Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    67 left arrow 92
    Wokół strony -37% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    1,273.3 left arrow 1,266.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    92 left arrow 67
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,105.4 left arrow 2,857.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,266.1 left arrow 1,273.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    339 left arrow 344
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania