RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
92
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,273.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
92
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
2,857.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
1,273.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
5300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
344
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link