RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
92
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,273.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
92
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
2,857.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
1,273.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
5300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
344
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link