RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
92
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
1,273.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
92
67
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
2,857.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
1,273.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
5300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
344
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link