RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
92
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
1,273.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
92
67
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
2,857.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
1,273.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
5300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
344
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link