Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Различия

  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    67 left arrow 92
    Около -37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,273.3 left arrow 1,266.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    92 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,105.4 left arrow 2,857.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,266.1 left arrow 1,273.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    339 left arrow 344
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения