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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
92
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,273.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
92
67
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
2,857.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
1,273.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
5300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
344
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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