Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Note globale
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Note globale
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Différences

  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 5300
    Autour de 1.21% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    67 left arrow 92
    Autour de -37% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    1,273.3 left arrow 1,266.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    92 left arrow 67
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,105.4 left arrow 2,857.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,266.1 left arrow 1,273.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    339 left arrow 344
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons