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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
71
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
71
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
4,360.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
2,935.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
728
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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