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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
71
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
71
66
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
4,360.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
2,935.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
6400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Comparaison des RAM
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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