Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    66 left arrow 71
    Autour de -8% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,935.8 left arrow 1,322.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 5300
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    71 left arrow 66
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,831.6 left arrow 4,360.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,322.6 left arrow 2,935.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    399 left arrow 728
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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