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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

総合得点
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    66 left arrow 71
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,935.8 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 4,360.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 2,935.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 728

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