Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    66 left arrow 71
    Por volta de -8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,935.8 left arrow 1,322.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 5300
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    71 left arrow 66
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,831.6 left arrow 4,360.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,322.6 left arrow 2,935.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    399 left arrow 728
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