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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
83
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
83
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
1752
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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