Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Pontuação geral
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    41 left arrow 83
    Por volta de 51% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.7 left arrow 7.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 83
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 14.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.7 left arrow 7.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2366 left arrow 1752
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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