RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
83
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
1752
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link