RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
71
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
71
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
4,360.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
2,935.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Сравнения RAM
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link