RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
71
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
71
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
4,360.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
2,935.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link