RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
71
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
71
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
4,360.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
2,935.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-072.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C7 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link