Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    66 left arrow 71
    Около -8% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,935.8 left arrow 1,322.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    71 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,831.6 left arrow 4,360.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,322.6 left arrow 2,935.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    399 left arrow 728
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения