RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
71
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
4,360.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
2,935.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link