RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
71
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
4,360.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
2,935.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link