RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3147
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link