Confronto tra le RAM Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Punteggio complessivo

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

66 71

Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,935.8 1,322.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

6400 5300

Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

399 728

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns