RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3637
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link