RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
71
Autour de -154% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3637
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link