RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3637
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link