RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
14.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2091
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link