RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
92
En -207% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3014
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link