RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
2581
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link