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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2355
2581
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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