RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2444
3026
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link