RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
3061
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link