RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3061
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link