RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3061
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link