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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
38
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2099
2831
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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