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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2307
2312
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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