RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
40
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2021
3221
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link