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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2021
3221
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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