RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2106
3205
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link