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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2106
2163
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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