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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2106
1660
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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