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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
38
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2106
2989
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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