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Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
33
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.5
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
18
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.5
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3476
2812
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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