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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
39
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
19
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3040
1770
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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