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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
総合得点
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
総合得点
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
39
周辺 51% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
7.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
19
39
読み出し速度、GB/s
18.1
12.8
書き込み速度、GB/秒
11.9
7.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1770
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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