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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
37
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3518
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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