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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
37
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
20.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
37
读取速度,GB/s
22.8
20.6
写入速度,GB/s
15.4
13.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3518
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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SK Hynix HMT451U6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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